哥也色中文娱乐-少妇 纬湃科技接纳英飞凌CoolGaN晶体管,打造功率密度开头的DC-DC养息器

少妇 纬湃科技接纳英飞凌CoolGaN晶体管,打造功率密度开头的DC-DC养息器

发布日期:2024-09-04 10:41  点击次数:95

少妇 纬湃科技接纳英飞凌CoolGaN晶体管,打造功率密度开头的DC-DC养息器

直流-直流(DC-DC)养息器在电动汽车和羼杂能源汽车中王人是必不行少的,用于贯穿高压电板和低压辅助电路。这包括12 V电源的前大灯、车内灯、雨刮和车窗电机、电扇,以及48 V电源的泵、转向入手装配、照明系统、电加热器和空调压缩机。此外,DC-DC养息器关于建造更多具有低压功能的经济节能车型也十分远大。TechInsights1的数据线路,2023年众人汽车DC-DC养息器的市集限制为40亿好意思元,瞻望到2030年将增长至110亿好意思元,预测期内的复合年增长率为 15%。其中,氮化镓(GaN)发达着至关远大的作用,因为它可用于提高 DC-DC 养息器和车载充电器(OBC)的功率密度。因此少妇,开头的当代入手手艺和电气化处分有臆想打算供应商纬湃科技(Vitesco Technologies)遴荐了GaN来提高其 Gen5+ GaN Air DC-DC养息器的电源成果。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的CoolGaN™晶体管650 V好像在显赫升迁全体系统性能的同期,更猛经由地裁汰系统老本并加多易用性。其匡助纬湃科技打造了新一代DC-DC养息器,并为电网、电源和OBC的功率密度(成果朝上 96%)和可捏续性设置了新尺度。

本文援用地址:

暴力小说

基于GaN的晶体管在高频开关专揽中领有显赫上风,但更远大的是其开关速率已从100 kHz提高至 250 kHz 以上。因此,即使在硬开关半桥中,开关损耗也相称低,况且更猛经由地裁汰了热损耗和全体系统损耗。此外,英飞凌的CoolGaN™晶体管具有很高的导通和关断速率少妇,并接纳顶部散热TOLT封装。由于该系列晶体管采纳空气冷却而非液体冷却,因此裁汰了全体系统老本。这些650 V器件还提高了电源成果和密度,扶助800 V输出功率。其导通电阻(RDS(on))为50 mΩ,瞬态漏极至源极电压为 850 V,IDS,max和IDSmax,pulse折柳为30 A和60 A。

™晶体管650V

英飞凌科技高等副总裁兼GaN系统业务线厚爱东谈主Johannes Schoiswohl默示:“很喜跃看到像纬湃科技这么的行业指令者接纳英飞凌GaN器件并在专揽中贬抑立异。如同此次从液冷系统滚动为风冷系融合样,GaN的巨大价值在于它更正了范式。”

通过GaN晶体管,纬湃科技联想出具有被迫冷却功能的Gen5+ GaN Air DC-DC养息器,裁汰了总体系统老本。GaN器件还能简化养息器联想和机械集成,使DC-DC养息器好像活泼地安装在车辆中,减少了制造商的责任量。使用GaN晶体管还可将养息器的功率升迁至 3.6 kW,功率密度升迁至 4.2 kW/l以上。与 Gen5 液冷养息器比拟,Gen5+ GaN Air DC-DC 养息器的成果朝上 96%,热性能取得改善。它们可在14.5 V 一语气电压下提供 248 A 的两相输出。相位好像归并,以齐备最大输出功率,还不错在部分负载的工况下关闭一个相位,并在两个相位之间交错开关频率。此外,通过串联切换两个相位的输入,基于CoolGaN™功率晶体管650 V的养息器好像在不超出半导体器件阻断电压上限的情况下齐备800 V架构。该系列养息器的另一个特色是接纳阻遏式半桥拓扑结构,包括一个基于GaN的半桥、一个鼓胀阻遏的变压器和一个适用于各个相的有源整流器。

供货情况

英飞凌CoolGaN™晶体管650 V现已上市少妇。



相关资讯
热点资讯
  • 友情链接:

Powered by 哥也色中文娱乐 @2013-2022 RSS地图 HTML地图

Copyright © 2013-2024